Samsung MZ-V9P1T0, 1 TB, M.2, 7450 MB/s

Samsung MZ-V9P1T0, 1 TB, M.2, 7450 MB/s MZ-V9P1T0GW
TillbakaFramsidan
Logga in för pris
Information
129 i lager
SamsungTillverkareSamsungArtnr
MZ-V9P1T0GW
Allmänt
Typ av enhetSSD-enhet - inbyggd
Kapacitet1 TB
MaskinvarukrypteringJa
Krypteringsalgoritm256 bitars AES
NAND-flashminnestypMLC (multi-level cell)
Integrerad kylflänsJa
FormfaktorM.2 2280
GränssnittPCIe 4.0 x4 (NVMe)
EgenskaperViloläge, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Bredd24.3 mm
Djup80 mm
Höjd8.2 mm
Vikt28 g
Prestanda
Intern datafrekvens7450 MBps (läs)/ 6900 MBps (skriv)
Maximalt 4 KB Random Write1550000 IOPS
Max 4kB random read1200000 IOPS
Pålitlighet
MTBF (genomsnittstid mellan fel)1,500,000 timmar
Expansion och anslutningar
GränssnittPCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibelt fackM.2 2280
Strömtillförsel
Strömkonsumtion5.4 Watt (läs)
5 Watt (skriv)
50 mW (inaktiv)
5 mW (L1.2-läge)
Programvara & Systemkrav
Medföljande programvaraSamsung Magician Software
Diverse
Standarder som följsIEEE 1667
PaketdetaljerLåda
Tillverkarens garanti
Service och supportBegränsad garanti - 5 år/600 TBW
Miljöparametrar
Min temperatur vid drift0 °C
Max temperatur vid drift70 °C
Min temperatur vid förvaring-40 °C
Max temperatur vid förvaring85 °C
Luftfuktighet vid drift5 - 95 % (icke-kondenserande)
Stöttolerans (i vila)1500 g
Vibrationstolerans (i vila)20 g @ 20-2000 Hz

 

Vi reserverar oss för eventuella fel.
Kundvagn
Visa priser inkl moms
Varor: 0 stSumma: 0 kr
 Stäng   X
Vi använder cookies för att ge dig bästa möjliga upplevelse. Fortsätter du använda webbplatsen accepterar du att cookies används. INFO